Maestría en Ciencias e Ingeniería de Materiales
URI permanente para esta colecciónhttps://hdl.handle.net/11191/6737
Examinar
1 resultados
Ítems en la colección
- Síntesis y caracterización de películas delgadas de Cu2SnS3 (CTS) y ZnS mediante la técnica de depósito por baño químico(Universidad Autónoma Metropolitana (México). Unidad Azcapotzalco. Coordinación de Servicios de Información., 2020-03-02) Vargas Rueda, Johan AndrésEn la presente investigación, se realizó la síntesis de películas delgadas, tanto de Cu2SnS3 como de ZnS, mediante el método de depósito por baño químico (CBD, Chemical Bath Deposition) sobre sustratos de vidrio soda-cálcico. El estudio de las propiedades estructurales, ópticas, eléctricas, morfológicas y análisis químico elemental se realizó mediante difracción de rayos X con incidencia rasante (GIXRD), espectroscopía Raman, espectroscopía UV-Vis, efecto Hall, microscopia electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia de energía dispersiva de rayos X (EDS). Para la obtención de los recubrimientos, se estudió el efecto de dos precursores de azufre (tiourea y tiosulfato de sodio) y tres agentes complejantes (etanolamina, trietanolamina y citrato de sodio), cuyos resultados fueron determinantes para establecer el protocolo de síntesis en la conformación del compuesto ternario y binario de interés. Las principales contribuciones durante el desarrollo de esta investigación son enlistadas a continuación: Obtención de condiciones de síntesis preliminares a partir del efecto de los ligantes orgánicos y precursores de azufre en la conformación de recubrimientos del compuesto ternario. El análisis estructural evidenció como fase predominante el Cu2S. No obstante, en los sistemas de trietanolamina con tiosulfato de sodio y citrato de sodio con tiourea se confirmó la formación del compuesto Cu2SnS3. Construcción de diagramas de zonas de predominio a partir del citrato de sodio y tiourea como fuente de azufre en aras de estudiar la fisicoquímica en solución para el depósito de películas delgadas de Cu2SnS3. Obtención de películas delgadas de Cu2SnS3 con estructura monoclínica, conductividad intrínseca tipo p y resistividad igual a 0.224 Ω cm a partir de la precipitación de sus precursores binarios Cu2S y SnS2, empleando el citrato de sodio y la tiourea. Especiación termodinámica a partir de los agentes complejantes etanolamina, trietanolamina o citrato de sodio y los precursores de azufre tiourea o tiosulfato de sodio, con el fin de establecer los parámetros de síntesis en la deposición del ZnS. Los diagramas de zonas de predominio evidenciaron como fase sólida predominante al ZnO(cr). Sin embargo, la cinética química permitió dilucidar el efecto del ligante orgánico sobre la obtención del ZnS. Obtención del recubrimiento de ZnS con estructura cúbica, conductividad intrínseca tipo n y resistividad igual a 8.36×104 Ω cm, empleando el citrato de sodio y la tiourea. Finalmente, estas películas pueden ser alternativas eficientes en la fabricación de celdas solares para emplearse como capa absorbente (Cu2SnS3) y capa buffer (ZnS) producto de sus propiedades estructurales, ópticas y eléctricas estudiadas en el marco del presente trabajo.