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Polarimetría circular por medio de trampas paramagnéticas de Ga(II) en GaAsN: un acercamiento a través de Machine Learning
(Universidad Autónoma Metropolitana (México). Unidad Azcapotzalco. Coordinación de Servicios de Información., 2022)
Estudios teóricos y experimentales [5, 19, 34, 56] han mostrado que el arseniuro de galio dopado con nitrógeno (GaAsN) es un buen material para ser empleado en dispositivos espintrónicos, ya que posee centros paramagnéticos ...